V reviji Applied Physics Letters je izšel članek z naslovom Ultrafast non-thermal and thermal switching in charge configuration memory devices based on 1T-TaS₂, katerega avtorji so Dragan Mihailović, Damjan Svetin, Igor Vaskivskyi, Rok Venturini, Benjamin Lipovšek in Anže Mraz z Odseka za kompleksne snovi Instituta "Jožef Stefan", Nanocentra, Fakultete za matematiko in fiziko in Fakultete za elektrotehniko Univerze v Ljubljani.
V članku je predstavljen toplotni aspekt delovanja nove vrste spominske naprave, ki temelji na ultrahitrem preklapljanju med različnimi stanji konfiguracije naboja v kristalu 1T-TaS₂. Podana je analiza časovne dinamike segrevanja spominskih naprav s pomočjo toplotnih simulacij pri različnih električnih vzbujanjih in z upoštevanjem točnih parametrov naprave. Rezultati simulacij nudijo dober vpogled v razmere med obratovanjem spominske naprave in so zelo pomembni pri nadaljnjem razvoju te tehnologije. Članek je izpostavljen tudi na naslovnici revije.